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LG-GDS01型 光電技術綜合實訓平臺
品牌:理工偉業 咨詢電話:010-82827827 82827835
一、產品概述
LG-GDS01型 光電技術綜合實訓平臺是由光學導軌、數字儀表及電子元器件平臺、52單片機設計組件及CCD設計組件等部分構成,儀器配備各種電源接口及0-200V 高壓可調電源和0-12V低壓可調電源,可為學生搭建各種實驗電路提供電源。學生能夠利用平臺自行搭建各種光學系統、光電傳感器的變換及處理電路,完成各種關于光電技術方面的應用開發設計,從各方面提高學生的動腦動手能力及創新意識,幫助高校培養光電技術人才。
1. 光學導軌:可利用導軌滑塊自行調節光學配件的距離,配合電子元器件搭建出幾何光學、物理光學、光電檢測與光電控制等系統,并與儀器內部的數據采集系統相結合完成各種實驗系統。
2. 數字儀表平臺:平臺提供2塊數字電壓表(四位半),2塊數字電流表(四位半)和1塊自動更換量程的數字照度計,這些數字儀表可以應用在電路中進行各種電路參數的測量。
3. 電阻、電容及器件平臺:此平臺配備各種電阻、電容、二極管、三極管、集成運算放大器、光電耦合器件,學生在此平臺靈活搭建電路來完成實驗。
4. 52單片機程序下載平臺:學生在此平臺來完成有關單片機方面的設計實驗也可做畢業設計、創新設計。
5. 線陣CCD驅動電路平臺:學生在此平臺自行設計線陣CCD驅動電路。
6. 現場可編程邏輯器件(CPLD)設計平臺:通過CPLD進行開發設計,提高學生動腦能力。
7. 計算機功能軟件:平臺配備有各種功能軟件,包括線陣CCD尺寸測量、角度測量、位移測量、條碼識別、圖像掃描軟件,面陣CCD邊緣與輪廓檢測、物體的尺寸測量、圖像的點運算、圖像的幾何變換、圖像采集與參數設置、投影與差影圖像分析、圖像的濾波與增強、形態學處理、旋轉與縮放、顏色識別與變換等圖像處理軟件。不但提供DEMO演示軟件還提供SDK軟件開發包,供學生進行二次開發。
二、教學目的
1. 了解并掌握各種光學配件及其實驗的原理和應用;
2. 了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路;
3. 了解并掌握52單片機程序編寫;
4. 了解并掌握52單片機外圍電路設計;
5. 了解CPLD的應用開發技術;
三、配置內容
光電二極管2只;光電三極管2只;光敏電阻2只;硅光電池1只;發光二極管R、G、B、W四色各1只;PIN光電二極管1只;雪崩光電二極管(APD)1只;UVM-30A紫外線探測傳感器1只; LED點光源裝置1支; 光電器件安裝裝置2件;熱釋電實驗裝置1件;PSD實驗裝置1件;光柵莫爾條紋實驗裝置1件;四象限光電傳感器及實驗裝置1套;線陣CCD相機及夾持器1套;彩色面陣CCD相機與相機夾持器1套; USB2.0接口8位A/D線陣CCD數據采集卡1塊;50mm相機鏡頭1個;彩色面陣CCD圖像采集卡1塊;面陣CCD圖像采集標準圖片及夾持裝置1套;尺寸測量實驗裝置1件;傾角測量實驗裝置1件;條形碼識別實驗裝置1件;振動實驗裝置1件;52單片機開發系統裝置1套;白色遠心照明光源1只;650nm點型3mw半導體激光器1只;圖像掃描實驗裝置1件;導軌固定底座4個;導軌底座支撐桿4個;一維調整架2個;一維底座2個;300mm連接線40顆;500mm連接線10顆;
四、技術參數
1. 數字電壓表:精度四位半;量程20V,200V;
2. 數字電流表:精度四位半;量程20mA,200mA;
3. 數字照度計:自動更換量程;測量范圍0.1~1.999×103x;
4. 光電二極管:暗電流 ID=±0.1uA;光電流 IL=±80uA;峰值響應 880nm;最高工作電壓30V;開關時間50/50ns;光譜范圍400~1100nm;
5. 光電三極管:集電極-發射極電壓30V;發射極-集電極電壓5V;集電極電流20mA;
6. 光敏電阻:暗電阻1.0MΩ;亮電阻8~20KΩ(10Lx);
7. 硅光電池:開路電壓小于500mV;短路電流小于18mA;輸出電流小于16.5mA;感光面積10X10mm;
8. PIN光電二極管:反向電壓40V;峰值波長920nm;開路電壓0.4V;短路電流85uA;
9. 雪崩光電二極管(APD):工作電壓100V~150V;峰值波長(λp)660nm;
10. 四象限光電傳感器:光敏直徑13mm;光譜響應范圍380~1100nm;
11. 一維PSD:光敏區1mm*8mm;光譜響應范圍300-1100nm;Ev=1000LX 2856K時,開路電壓為0.3V,短路電流為55µA;PSD調整架:位移范圍13mm;位移精度0.01mm;
12. 熱釋電器件:型號:RE200B;靈敏元面積:2.0×1.0mm2;基片材料:硅;基片厚度:0.5mm;工作波長:5-14µm;平均透過率>75%;
13. 光電耦合器:型號:4N35;隔離電壓:5300V;輸入電流:10mA;輸出電壓:30V;工作溫度范圍:-55°Cto+100°C;最大正向電流, If:60mA;正向電壓Vf最大:1.5V;電壓,Vceo:30V;電壓,Vf典型值:1.3V;輸出電壓最大:30V;擊穿電壓最小:30V;電流傳遞率(CTR)最小值:100%;
14. CPLD:最大延遲時間tpd(1)10.0ns;電壓電源內部3V~3.6V邏輯元件/邏輯塊數目4;宏單元數64;門數1250;輸入/輸出數34;工作溫度0°C~85°C;
15. 線陣CCD相機:有效像元數2160像元;像元尺寸(μm)14×14×14;靈敏度(V/lx.s)45;動態范圍1700;
16. 彩色面陣CCD相機:有效像元數768(水平)×576(垂直);
17. 線陣CCD數據采集卡:USB2.0接口、8位A/D數據采集系統;
18. 彩色面陣CCD圖像采集卡:分辨率8bit×3采集;USB2.0接口;
19. 鏡頭:焦距50mm;
20. 電器參數:輸入電壓AC220V,50Hz;功耗200W;
21. 接口方式:與計算機連接接口為USB2.0總線接口方式;
22. 計算機系統配置:19英寸液晶顯示器;內存2.0GB;CPU速度高于2.4GHz;硬盤高于250G;USB2.0接口;防水耐用鍵盤及光電鼠標;
23. 操作軟件:操作系統與Windows2000、WindowsXP、Windows7兼容;
24. 主機尺寸:700mm×550mm×280mm,重量:24kg,導軌長度:700mm;
五、能夠完成的實驗內容
(1)光電技術方面實驗
1. 光敏電阻特性參數及其測量;
2. 光敏電阻伏安特性實驗;
3. 光敏電阻的變換電路;
4. 光敏電阻時間響應特性;
5. 光電二極管光照靈敏度的測量;
6. 光電二極管伏安特性的測量;
7. 光電二極管時間響應特性的測量;
8. 硅光電池在不同偏置狀態下的特性參數及其測量;
9. 測量硅光電池在反向偏置下的時間響應;
10. 光電三極管光照靈敏度的測量;
11. 光電三極管伏安特性的測量;
12. 光電三極管時間響應的測量;
13. 光電三極管光譜特性的測量;
14. 光電耦合器電流傳輸比的測量;
15. 光電耦合器件伏安特性的測量;
16. 光電耦合器件時間相應的測量;
17. 熱釋電器件基本原理實驗;
18. 熱釋電器件光譜響應的測試實驗;
19. PSD位移傳感器特性參數的測量;
20. 四象限光電傳感特性實驗;
21. 雪崩光電二極管(APD)特性實驗;
22. PIN光電二極管特性實驗;
23. 線陣CCD驅動系統設計實驗;
24. 太陽能電池實驗;
25. 光電測距實驗;
26. 光調制解調實驗;
(2)光電檢測技術實驗
1. 線陣CCD原理與驅動特性
2. 線陣CCD輸出特性的測量
3. 利用線陣CCD進行物體外形尺寸的測量
4. 線陣CCD的A/D數據采集
5. 用軟件提取邊緣信號的二值化
6. 利用線陣CCD測量物體的傾斜角度
7. 條形碼的測量與識別實驗
8. 用線陣CCD測量物體的振動
9. 利用線陣CCD進行圖像掃描
10. 光柵與莫爾條紋實驗;
11. 面陣CCD原理與驅動實驗;
12. 利用面陣CCD測量物體外形尺寸;
13. 利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓;
14. 利用面陣CCD進行圖像采集與參數設置;
15. 利用面陣CCD進行投影與差影圖像分析;
16. 利用面陣CCD進行圖像的濾波與增強;
17. 利用面陣CCD進行形態學處理;
18. 利用面陣CCD進行物體的旋轉與縮放;
19. 利用面陣CCD對顏色識別;
20. 利用面陣CCD進行圖像信息的點運算;
21. 利用面陣CCD進行圖像的幾何變換;
22. 利用面陣CCD進行數據采集實驗;
(3)二次開發實驗(52單片機開發實驗)
1. 52單片機程序編寫實驗;
2. 52單片機外圍電路設計實驗;
3. 基于52單片機的數字時鐘設計實驗;
(4)CPLD應用技術方面的實驗
1. 編寫與設計時鐘邏輯電路實驗;
2. 編寫與設計2160像元的線陣CCD驅動電路實驗;
3. 編寫與設計線陣CCD二值化數據采集系統邏輯電路;
六、平臺配套文件資料
1. 實驗指導書1本;
2. 軟件:平臺軟、硬件使用手冊等內容;
3. 實驗錄像光盤1套 ;
備注:客戶自行配置示波器。